卓水越反滲透純水設備在半導體行業(yè)中的應用案例
作者：admin 發(fā)布日期：2025/11/14 關注次數：
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珠海市申科譜工業(yè)科技有限公司成都分公司采購的四川卓水越品牌1000L反滲透型純水設備（型號ZYRO-D-1000L），其安裝流程嚴格遵循半導體行業(yè)超純水系統的高標準要求，具體步驟如下：
預處理系統安裝
采用粗過濾器與超濾裝置組合，有效去除原水中的膠體、懸浮物及部分有機物，確保SDI（污染指數）穩(wěn)定≤5，為后續(xù)反滲透工藝提供優(yōu)質進水。
超濾裝置因占地面積小、維護便捷，顯著降低了建筑成本與運維難度。
反滲透系統調試
配置反滲透工藝，一級反滲透前增設SBS（抑垢劑）和MDC（微絮凝）裝置，防止膜結垢；確保產水電阻率≥15MΩ·cm。
系統采用模塊化設計，支持在線更換膜組件，保障半導體工廠連續(xù)生產。
深度處理與水質保障
電去離子（EDI）模塊實現深度脫鹽，電阻率提升至≥18.2MΩ·cm，滿足半導體晶圓清洗與光刻工藝要求。
終端配置拋光混床及UV殺菌器（254nm波長），徹底去除微生物與細菌，確保水質符合SEMI F63標準。
系統驗證與交付
完成72小時穩(wěn)定性測試，驗證顆粒物釋放量、TOC（總有機碳）等核心參數達標。
提供全周期運維支持，包括定期巡檢、預測性養(yǎng)護及應急故障處理，保障水質與系統安全。
二、半導體行業(yè)應用價值
卓水越ZYRO-D-1000L反滲透純水設備在半導體制造中發(fā)揮關鍵作用，具體應用場景包括：
晶圓清洗與光刻工藝：超純水用于硅片氧化、光掩模版制備及化學機械拋光（CMP），確保無金屬離子（如Na?、K?≤0.01ppb）及顆粒物（≥0.05μm≤1個/mL）污染，提升器件良率。
蝕刻與薄膜沉積：嚴格控制氯離子（Cl?）、硫酸根（SO?2?）含量（<0.01ppb），防止金屬結構腐蝕，保障集成電路可靠性。
動態(tài)隨機存儲器（DRAM）生產：滿足256兆位工藝對顆粒粒徑的嚴苛要求（≤0.1μm），避免晶圓表面劃傷，支持先進制程發(fā)展。
三、行業(yè)標準與合規(guī)性
設備設計嚴格遵循SEMI F63、ASTM D5127及GB/T 11446.1-2013標準，實現全參數在線監(jiān)測（電阻率、TOC、顆粒物等），并通過ISO 14644-1 Class 1潔凈度認證，為半導體企業(yè)提供穩(wěn)定、合規(guī)的超純水解決方案。
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